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旋片真空泵在半導(dǎo)體刻蝕工藝中的應(yīng)用的目的是把經(jīng)曝光、顯影后光刻膠微圖形中下層材料的裸露部分去掉，即在下層材料上重現(xiàn)與光刻膠相同的圖形。刻蝕是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。隨著微制造工藝的發(fā)展，廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應(yīng)離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱，成為微加工制造的一種普適叫法。

下面分別介紹Si3N4刻蝕的流程：

半導(dǎo)體刻蝕工藝之Si3N4刻蝕：

在903E刻蝕機中刻蝕，刻蝕機內(nèi)通入的氣體有：CF4、NF3、He。氟游離基的作用是使氮化硅被腐蝕，生成物是氣體，被旋片真空泵抽氣抽走。為了加快腐蝕速率可以在CF4中加入少量氧氣（5%-8%），因為氧能夠抑制F*在反應(yīng)腔壁的損失，并且：CF4+O2→F* +O*+COF*+COF2+CO+…… （電離）。COF*壽命較長，當它運動到硅片表面時發(fā)生以下反應(yīng)從而加速了腐蝕速率：COF*→F* CO （電離），但是氧氣加多了要腐蝕光刻膠降低選擇比。

刻蝕是微細加工技術(shù)的一個重要組成部分，微電子學的快速發(fā)展推動其不斷向前。從總體上來說，刻蝕技術(shù)可分為干法刻蝕和濕法刻蝕兩種，初期的刻蝕以濕法刻蝕為主，但隨著器件制作進入微米、亞微米時代，濕法刻蝕難以滿足越來越高的精度要求。干法刻蝕技術(shù)得以很大進展。干法刻蝕一般為通過物理和化學兩個方面相結(jié)合的辦法來去除被刻蝕的薄膜，因此刻蝕具有各向異性，這就可以從根本上改善濕法所固有的橫向鉆蝕問題，從而滿足微細線條刻蝕的要求。常用的刻蝕方法有很多，旋片真空技術(shù)是其中的一種。半導(dǎo)體刻蝕工藝用旋片真空泵具有刻速快、選擇比高、各向異性高、刻蝕損傷小、大面積均勻性好、刻蝕斷面輪廓可控性高和刻蝕表面平整光滑等優(yōu)點，近年來，德國旋片真空泵被廣泛應(yīng)用在硅、二氧化硅、Ⅲ-Ⅴ族化合物等材料的刻蝕上，取得了很好的刻蝕效果，可以滿足制作超大規(guī)模集成電路、MEMS、光電子器件等各種微結(jié)構(gòu)器件的要求。

通過旋片真空泵在半導(dǎo)體刻蝕工藝中的應(yīng)用這個實例，可以反映出隨著人們對普諾克旋片真空泵的進一步了解和設(shè)備的進一步完善，真空技術(shù)會更加適應(yīng)刻蝕多樣化的要求，從而被越來越多地應(yīng)用到器件制作工藝中去，成為刻蝕的主流技術(shù)，從整體上提高器件的制備水平，進一步促進器件水平的提高、結(jié)構(gòu)的更新和集成度的提高，更好地獲得一個很好的效果。